产品简介

一、概述

DW02E产品是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组保护的高集成度解决方案。DW02E包括了先进的功率MOSFET，高精度的电压检测电路和延时电路。

DW02E具有非常小的SOT23-6的封装并且只需要一个外部元器件，这使得该器件非常适合应用于空间限制得非常小的可充电电池组应用。

DW02E具有过充，过放，过流，短路等所有的电池所需保护功能，并且工作时功耗非常低。

该芯片不仅仅是为手机而设计，也适用于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供电的各种信息产品的应用场合。

二、特点 内部集成等效70mΩ的先进的功率MOSFET；SOT23-6封装；只需要一个外部电容；过充电流保护；3段过流保护：过放电流1、过放电流2（可选）、负载短路电流；充电器检测功能；延时时间内部设定；高精度电压检测；低静态耗电流：正常工作5.0uA（典型值）；休眠状态不超过0.1uA；兼容ROHS和无铅标准。

产品简介

一、概述

DW02E产品是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组保护的高集成度解决方案。DW02E包括了先进的功率MOSFET，高精度的电压检测电路和延时电路。

DW02E具有非常小的SOT23-6的封装并且只需要一个外部元器件，这使得该器件非常适合应用于空间限制得非常小的可充电电池组应用。

DW02E具有过充，过放，过流，短路等所有的电池所需保护功能，并且工作时功耗非常低。

该芯片不仅仅是为手机而设计，也适用于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供电的各种信息产品的应用场合。

二、特点 内部集成等效70mΩ的先进的功率MOSFET；SOT23-6封装；只需要一个外部电容；过充电流保护；3段过流保护：过放电流1、过放电流2（可选）、负载短路电流；充电器检测功能；延时时间内部设定；高精度电压检测；低静态耗电流：正常工作5.0uA（典型值）；休眠状态不超过0.1uA；兼容ROHS和无铅标准。

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